2015年6月29日
富士電機株式會社
富士電機(中國)有限公司
富士電機株式會社,富士電機(中國)有限公司 ,即將擴充裝載新一代功率半導體元件SiC(碳化硅)的混合模塊產品系列,并開始樣品出貨,特發通知。
1. 目的
與Si(硅)元件相比,SiC元件更容易實現高耐壓,且開關損耗小,所以在降低裝置電耗方面備受矚目,預計全球市場今后五年的年均增長率※1將達到35%左右。
本次的出貨樣品是由使用SiC元件的SBD(肖特基勢壘二極管)和使用Si元件的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)構成的混合模塊。產品系列從600V~1200V、乃至1700V,可廣泛應用于各種工業機械的節能和小型化。
※1 數據來源 : IHS 2014。自2014年起五年的年均增長率。
?本模塊采用的SiC元件中運用了本公司在自2012年度起參與“TPEC(筑波電力電子星座)”共同研究體后、與國立研究開發法人產業技術綜合研究所共同研究的成果。
2. 產品特點
(1)降低電力轉換時的損耗,有助于設備節能。
與以往的Si元件相比,可以大幅降低損耗,實現功率調節器的高效節能。就本公司生產的變頻器而言,設備總損耗較以往機型降低了約30%。
(2)大功率和高頻動作,節省設備占地空間
與傳統的Si元件相比,產品的輸出功率最大提高至1.5倍(1700V產品)。在維持裝置原有大小的同時,擴大了容量。比如本公司生產的變頻器機容量從315kW擴大至450kW,以此可以減少裝置的設置臺數。
產品的動作頻率最大可提升至2倍(1700V產品),且損耗保持不變。過濾器等周邊元器件也因此可實現小型化。
憑借上述優點,產品可節約設備的占地空間。
(3)產品齊全,應用廣泛
產品系列得到擴充與完善,包括600V、1200V和1700V等從小到大各種不同容量的產品。
可廣泛運用于變頻器、伺服、不間斷電源裝置、功率調節器等工業機械
3. 產品規格、出貨和銷售時期